Ordering number : ENA1804A
CPH3457
N-Channel Power MOSFET
30V, 3A, 95m Ω , Single CPH3
Features
http://onsemi.com
?
?
?
?
ON-resistance RDS(on)1=73m Ω (typ.)
1.8V drive
Halogen free compliance
Protection diode in
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
30
±12
3
Unit
V
V
A
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
IDP
PD
Tch
Tstg
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
12
1.0
150
--55 to +150
A
W
°C
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7015A-004
Product & Package Information
? Package : CPH3
? JEITA, JEDEC : SC-59, TO-236, SOT-23
? Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
2.9
0.15
CPH3457-TL-H
Packing Type: TL
Marking
3
0.05
TL
1
0.95
2
0.4
1 : Gate
2 : Source
Electrical Connection
3 : Drain
3
CPH3
1
2
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
61312 TKIM/90110PE TKIM TC-00002460 No. A1804-1/7
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相关代理商/技术参数
CPH3457-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):95 毫欧 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):265pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000
CPH3459-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.7 欧姆 @ 250mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):90pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000
CPH3461-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 欧姆 @ 170mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):140pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000
CPH3461-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 欧姆 @ 170mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):140pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000
CPH3462-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):785 毫欧 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):155pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1
CPH38W23FGE3SK9X 功能描述:PCI Express / PCI 连接器 38 POS FEMALE STR PRESSFIT RoHS:否 制造商:JAE Electronics 系列:MM60 产品类型:PCI Express 位置/触点数量:52 安装角:Right 安装风格:SMD/SMT 端接类型:Solder Pad 外壳材料:Plastic 触点材料:Copper Alloy 触点电镀:Gold
CPH38W23MARARK9X 功能描述:PCI Express / PCI 连接器 38 POS MALE ANGLED SOLDER PIN INVERTED RoHS:否 制造商:JAE Electronics 系列:MM60 产品类型:PCI Express 位置/触点数量:52 安装角:Right 安装风格:SMD/SMT 端接类型:Solder Pad 外壳材料:Plastic 触点材料:Copper Alloy 触点电镀:Gold
CPH38W23MARASK9X 制造商:CONEC 制造商全称:CONEC 功能描述:CompactPCI